NTTが開発した，新しい動作原理に基づくフォトダイオード。従来型のフォトダイオードでは，入力光信号によって発生したキャリア（電流の担い手である電子と正孔）のうち，速度の遅い正孔の動作が素子の応答特性を決定していたが，単一走行キャリア・フォトダイオードでは単一のキャリア，すなわち速度の速い電子の応答だけが素子の応答速度を決定するように，その層構造が工夫されている。

飽和電流値は従来型のフォトダイオードと比べて1桁程度高い。