用語説明

青色発光素子用材料

主としてバンドギャップが広く直接遷移型の半導体であるⅢ-Ⅴ族窒化物半導体とⅡ-Ⅲ族化合物半導体。近年エピタキシャル成長技術の進歩により結晶欠陥が低減しLEDやLDへのデバイス応用が進んだ。