用語説明

CMOS/SIMOX(相補型金属酸化膜半導体)

Complementary Metal Oxide Semicouductor/Separation by IMplanted OXygen

CMOSは低消費電力性に優れており,現在のLSIを構成する最も基本的な構造。SIMOXは,SOI(Silicon On Insulator;酸化膜等の絶縁物の上に,素子をつくり込むためのシリコン層を設けた構造)構造形成技術の1つで,高エネルギーの酸素イオンをシリコンウエハの表面から打ち込み,内部に酸化膜層を形成するNTTで発明した技術。このCMOSをSIMOX基板の上に形成した構造をCMOS/SIMOXと呼び,1/4ミクロン以下のディープサブミクロン領域で高速・低電力の優れた性能を示す。